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罗姆将携电动交通与工业领域的最新解决方案亮相PCIM Europe 2025

　　中国上海，2025年4月22日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，将于2025年5月6日至8日参加在德国纽伦堡举办的PCIM(PCIM Expo & Conference)展览会暨研讨会。该展会是电力电子、智能运动、可再生能源及能源管理领域的国际顶级盛会。罗姆将在9号馆304展位展示与知名合作伙伴的参考项目及其封装设计与评估板的技术演进。　　罗姆半导体欧洲总裁Wolfram Harnack表示：“德国纽伦堡的PCIM 2025是电力电子领域创新与突破的盛会。在这里，业内前沿人才汇聚一堂，共同擘画电动交通和工业应用的未来蓝图。我们将展示出色的客户应用案例，全方位展现罗姆产品的卓越潜力。无论是光伏行业还是电动交通领域，罗姆都将积极参与。我们很期待在现场与客户共同探讨未来的关键项目。”　　罗姆在PCIM Europe 2025上的亮点预览：　　罗姆的车载产品：罗姆将展出一款采用TRCDRIVE pack™的逆变器产品，该产品内置罗姆二合一SiC塑封型模块。罗姆与法雷奥(Valeo)自2022年起始终保持合作，双方在合作初期以技术交流为切入点，致力于共同提升电机逆变器的性能和效率。而电机逆变器是电动汽车(EV)和插电式混合动力汽车(PHEV)动力总成系统的关键部件。　　罗姆展位上还将展出电动交通应用中必不可少的车载充电器(OBC)电源解决方案。其中包括适用于OBC的新型EcoSiC™塑封型功率模块，以及采用罗姆功率半导体器件的OBC应用案例。罗姆的Power Eco Family产品：“Power Eco Family”品牌理念整合四大功率半导体产品矩阵，旨在通过提高应用产品的性能，推动可持续生态系统的发展。罗姆将在展位上展示自有的解决方案与案例研究。　　其中的应用案例之一是新型GaN产品群——罗姆EcoGaN™系列中的650V耐压的TOLL封装GaN HEMT已被日本知名电子元器件、电池和电源制造商村田制作所集团旗下的子公司Murata Power Solutions用于其AI服务器电源。Murata Power Solutions的5.5kW AI服务器电源通过内置罗姆低损耗且高速开关性能优势兼具的GaN HEMT，实现了效率提升与小型化的双重突破。了解更多信息，请参阅AMEYA360发布的相关新闻。　　 Power Eco Family系列的详情如下：　　· EcoSiC™是采用因性能优于Si而在功率元器件领域备受关注的SiC的元器件品牌。　　· EcoGaN™是通过更大程度地发挥GaN的低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品进一步节能和小型化的罗姆GaN器件。该系列产品有助于应用产品进一步降低功耗、实现外围元器件的小型化、减少设计时间和元器件数量等。　　· EcoIGBT™是罗姆开发的非常适用于功率元器件领域对耐压能力要求高的应用的IGBT，是包括器件和模块在内的品牌名称。　　· EcoMOS™是罗姆专为功率元器件领域的对节能要求高的应用设计的Si功率MOSFET产品的品牌。　　在展会期间，罗姆的电源专家将参与多场研讨会和会议演讲。此外，还将在PCIM Europe 2025上展示海报。　　更多关于罗姆在PCIM Europe 2025上的重点展示内容，请访问：‍https://www.rohm.com/pcim‍　　[注] *EcoSiC™、EcoGaN™、EcoIGBT™、EcoMOS™和TRCDRIVE pack™是ROHM Co., Ltd.的商标或注册商标。　　关于罗姆　　罗姆是成立于1958年的半导体电子元器件制造商。通过铺设到全球的开发与销售网络，为汽车和工业设备市场以及消费电子、通信等众多市场提供高品质和高可靠性的IC、分立半导体和电子元器件产品。在罗姆自身擅长的功率电子领域和模拟领域，罗姆的优势是提供包括碳化硅功率元器件及充分地发挥其性能的驱动IC、以及晶体管、二极管、电阻器等外围元器件在内的系统整体的优化解决方案。　　了解更多信息，请点击访问罗姆官网：https://www.rohm.com.cn/。

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发布时间：2025-04-22 17:24 阅读量：237 继续阅读>>

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佰维存储企业级SSD通过OpenCloudOS、龙蜥、openEuler等开源社区认证

　　近日，佰维存储的企业级存储产品SP406/416、SP506/516系列PCIe SSD完成了与OpenCloudOS、龙蜥(Anolis OS)和openEuler三大开源操作系统的兼容性认证。测试结果显示，系列产品在功能、性能、可靠性和兼容性等方面均表现卓越。　　佰维SP4/SP5系列企业级SSD分别与OpenCloudOS操作系统完成了全方位兼容性测试，涵盖操作系统安装测试、系统信息检查、分区和文件系统测试、热插拔测试、硬盘指示灯测试、硬盘读写性能测试、系统重启(Reboot)测试以及长时间压力测试等多轮严苛环节，测试结果表明佰维企业级SSD产品在Open CloudOS环境中表现出良好的适配性和稳定性。　　在产品功能与关键性能指标方面，佰维企业级SSD表现性能卓越、稳定可靠，可为企业级应用的连续性、长期稳定运行保驾护航。在可靠性与兼容性方面，在混合读写与快速随机切换的工作场景下，历经长时间压力测试，佰维企业级SSD依然能够稳定无误的运行。同时，佰维企业级SSD通过多家OS开源社区的互认证测试，表明可为客户OS使用提供灵活选择和适配。　　佰维企业级SSD SP4系列采用U.2形态接口，适用于各类企业级数据中心、云计算与高端服务器。该产品基于优异的企业级主控芯片结构，搭载企业级专用的高速3D TLC闪存颗粒，覆盖1.6TB~7.68TB容量，具备高吞吐量/IOPS、低延迟以及良好的 QoS 特性。采用高效固件架构，提升了产品的性能与耐用度，平均无故障时间高达250万小时。此外，极低的功耗表现可大幅降低客户运维成本，满足企业级应用对能效的严苛要求。　　佰维企业级SSD SP5系列最大带宽是Gen4产品的两倍。产品实现了性能与功耗的平衡，顺序读取/写入速度分别高达13100MB/s、10000MB/s，容量支持1.6TB~15.36TB，提供业界领先的KIOPS/Watt性能，满足企业级客户对于数据高密度存储、高兼容易用性及低TCO的需求，通过多种软件算法与固件优化，产品具备数据安全性保障、可靠与一致性等多项技术优势。可扩充E1.S、E3.S多种规格形态接口，以匹配EDSFF新型服务器、传统服务器、工作站等主流硬件平台的使用环境。　　除三大开源系统认证外，佰维SP4和SP5系列企业级SSD同时通过了飞腾、海光、龙芯等主流CPU厂商的适配测试;并通过联想、浪潮、新华三、同方等17家服务器厂商的互认证测试。广泛覆盖企业级硬件环境需求，为全球客户提供灵活、开放的存储解决方案。未来，佰维存储将推出更高性能、高可靠的企业级存储产品与解决方案，并联合更多生态伙伴深化协同创新，积极推动企业级存储产品的技术适配与生态共建，以智能存力引擎驱动数字经济高质量发展。

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佰维存储

发布时间：2025-04-21 13:34 阅读量：207 继续阅读>>

广和通发布新一代LTE Cat.1 bis模组MC610-<span style='color:red'>EU</span>/LA

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广和通发布新一代LTE Cat.1 bis模组MC610-EU/LA

　　相较于上一代，本次发布的MC610-EU/LA通过缩小存储空间和精简语音功能，进一步优化成本。在封装尺寸上，MC610-EU/LA采用24.2mm*26.2mm的LCC+LGA封装方式，兼容广和通Cat.1模组MC665系列及Cat.M模组MA510系列，便于客户同步设计支持2G/Cat.1/Cat.M的终端方案，加速终端迭代。　　广和通LTE Cat.1 bis模组MC610-EU/LA搭载展锐8910平台，覆盖拉美、欧洲地区LTE主流频段，下行峰值速率达10.3Mbps，上行速率达5.1Mbps，满足全球终端对4G速率连接的需求。同时，MC610-EU/LA支持LTE和GSM双模通信，用户可灵活切换网络。MC610-EU/LA提供包括SIM/USB/UART/ADC/SDIO/GPIO/SPI/I2C等丰富接口，同时支持Linux、Windows和Android等主流操作系统，客户终端可灵活拓展至更多应用和系统集成。　　得益于以上特性，MC610-EU/LA作为支持全球LTE频段及2G网络的低成本Cat.1 bis模组，可为定位追踪器及智能表计提供超长待机的无线通信。内置MC610-EU/LA的智能表计支持LTE和GSM网络，可实现双向通信，充分满足无线远程抄表和控制应用的需求。MC610系列已拥有MC610-GL、MC610-LA、MC610-EU、MC610-CN等多个版本，可在欧洲/亚太/非洲/拉美以及全球地区广泛应用。目前，新一代MC610-EU/LA/GL已进入客户送样阶段。　　得益于以上特性，MC610-EU/LA助力定位追踪、泛支付、共享行业、工业互联、车载后装等中低速物联网场景实现无线连接。

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发布时间：2024-10-29 15:14 阅读量：570 继续阅读>>

三星电子与蔡司合作加强聚焦<span style='color:red'>EU</span>V技术和半导体设备

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三星电子与蔡司合作加强聚焦EUV技术和半导体设备

　　三星电子正在深化与蔡司集团在下一代EUV和芯片技术方面的合作，蔡司集团是全球唯一的极紫外(EUV)光系统供应商ASML Holding NV的光学系统唯一供应商。　　三星电子的执行董事长李在镕(Jay Y. Lee)近期在德国会见了蔡司总裁兼首席执行官卡尔·兰普雷希特(Karl Lamprecht)及其他公司高管。　　会议上，双方同意扩大在EUV技术和尖端半导体设备研发方面的合作，以增强两家公司在晶圆代工代工和存储芯片领域的业务竞争力。通过这次合作，三星希望提升下一代半导体技术，优化芯片制造流程，提高先进芯片的生产良率。　　蔡司还计划到2026年投资480亿韩元在韩国建设研发中心，加强同三星等韩企的战略合作。　　资料显示，蔡司是光学与光电解决方案开发商，也是光刻机大厂ASML EUV光刻机独家供应商，每台EUV光刻机中包含了三万多个由蔡司提供的组件。蔡司在EUV技术方面拥有超过2000项核心专利，其掌握的技术可以在高性能先进芯片生产中发挥重要作用。　　三星电子希望通过与蔡司的技术合作，实现下一代半导体的性能提升、生产工艺优化和良率提升，从而提高其业务竞争力。

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发布时间：2024-04-29 15:11 阅读量：756 继续阅读>>

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Microchip宣布收购Neuronix AI Labs

　　Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)宣布收购 Neuronix AI Labs，以进一步增强在现场可编程门阵列(FPGA)上部署高能效人工智能边缘解决方案的能力。Neuronix人工智能实验室提供神经网络稀疏性优化技术，可在保持高精度的同时，降低图像分类、目标检测和语义分割等任务的功耗、尺寸和计算量。　　Microchip的中端PolarFire® FPGA和SoC在低功耗、可靠性和安全功能方面已处于行业领先地位。完成此次收购后，Microchip将能在成本、尺寸和功耗受限的系统上开发出经济高效的大规模边缘部署组件，用于计算机视觉应用，并使中低端FPGA的AI/ML处理能力成倍增强。　　Microchip负责FPGA业务部的公司副总裁Bruce Weyer表示：“收购 Neuronix人工智能实验室的技术将提高我们在采用AI/ML算法的智能边缘系统中部署的FPGA和SoC的能效。Neuronix的技术与我们的VectorBlox™设计流程相结合，可提高神经网络的性能效率，并在低功耗PolarFire FPGA和SoC中实现出色的 GOPS/watt 性能。系统设计人员现在能够设计和部署以前由于尺寸、散热或功耗限制而难以构建的小尺寸硬件。”　　收购这项技术后，非FPGA设计人员无需深入了解FPGA设计流程，即可使用行业标准人工智能框架，利用强大的并行处理能力。Neuronix 人工智能知识产权与Microchip现有的编译器和软件设计工具包相结合，可以在可定制的FPGA逻辑上实现AI/ML算法，无需RTL级专业知识或对底层FPGA结构的深入了解。它还允许即时更新和升级CNN，无需对硬件重新编程。　　Neuronix AI Labs首席执行官Yaron Raz表示：“Neuronix AI Labs一直致力于开发一流的神经网络加速架构和算法，以满足用户对尺寸、功耗、性能和成本的预期。加入Microchip团队为我们提供了独特的机会，使我们能够扩大规模，并与在功耗效率方面树立了行业标准的FPGA 产品组合保持一致。"

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发布时间：2024-04-18 11:43 阅读量：908 继续阅读>>

英特尔大规模量产Intel 4工艺采用<span style='color:red'>EU</span>V光刻

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英特尔大规模量产Intel 4工艺采用EUV光刻

　　英特尔宣布在位于爱尔兰的Fab 34晶圆厂成功安装和调试了EUV(极紫外)光刻机，并已正常启用，准备开始Intel 4工艺的量产。这将标志着极紫外 (EUV) 光刻技术首次用于欧洲批量生产。　　Intel 4工艺首发用于代号Meteor Lake的酷睿Ultra处理器，将在12月14日正式发布，面向主流和轻薄笔记本。　　目前，Intel正在稳步推进“四年五个制程节点”计划。　　其中，Intel 7和Intel 4已实现大规模量产，前者用于12/13/14代酷睿。　　Intel 3正在按计划推进，目标是2023年底。　　明年上半年，Intel将推出首个采用Inte 3工艺的Sierra Forest至强处理器，基于E核架构，最多288核心，随后是同样Intel 3工艺、P核设计的Granite Rapids。　　Intel 20A和Intel 18A同样进展顺利，目标是2024年，将首次采用RibbonFET全环绕栅极晶体、PowerVia背面供电技术。　　此外，Intel即将推出面向代工服务客户的Intel 18A制程设计套件(PDK)。

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发布时间：2023-10-13 09:22 阅读量：1554 继续阅读>>

挥别国产存储上半年，<span style='color:red'>EU</span>V导入、DDR更迭下半场如何走？

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挥别国产存储上半年，EUV导入、DDR更迭下半场如何走？

在几个月就能历经一轮“生死劫”的前沿科技产业，变化本就是主旋律。步入 2020 年，黑天鹅齐飞，诸多新变量的引入，使存储业者面临更多不确定性。回顾存储产业上半年，一些事件值得回味，一些变动指向未来，全球半导体观察带您梳理观察重点。看亮点1. 国产存储“芯”势力国产替代预期催化，半导体成为上半年科技主题基金重仓焦点股，可谓风头十足。高景气度持续下，细分赛道龙头公司也纷纷迎来高速增长拐点。作为国内最大、全球第四大 NOR 芯片供货商，兆易创新开年不久便见识了半导体资本狂潮。2 月 13 日，兆易创新股票涨幅超 9%，股价创历史新高，总市值达到 1020.73 亿元，成为国内第六家市值破千亿的半导体公司。不过，一些投资人直呼“过热”并提醒当下静态估值可能偏高，市场也很快发出“入场需谨慎”的信号。国产存储制造在今年取得的突破，普通人也能感受得到。能买到国产固态硬盘 SSD 和内存条的消费者开始体会，“国产存储替代”趋势着实摸得着。 4 月 13 日，紫光集团旗下的长江存储宣布其 128 层 QLC 3D NAND 闪存研发成功。9 月 10 日，长江存储宣布推出两款消费级固态硬盘 SSD 产品。值得一提的是，长江存储布局多项专利，技术几乎都是自主研发。长江存储独有的 Xtacking 架构可以在两片独立的晶圆上加工外围电路和存储单元，使 NAND 拥有更高的 I/O 接口速度，实现更高的存储密度以及更小的芯片面积。进入 5 月，多款搭载长鑫存储 10 纳米级 DDR4 芯片的内存条上市，首款中国芯的光威弈 PRO DDR4 内存条由深圳嘉合劲威制造。中国自主研发的 DRAM 芯片终于投入市场，内存芯片产业史又写下一笔。长鑫存储不仅研发出 19 纳米工艺的 DRAM 芯片，填补了国产空白，更是打通了从设计到生产制造的全流程。国际内存芯片市场在迎来中国玩家后，未来将看到更多中国面孔。紫光集团重返 DRAM 赛场，兆易创新等国内企业也已入局。 2. 国际厂商激战升级，DRAM 进入 EUV 时代2020 年一季度，伴随 DRAM 价格回暖，存储龙头厂商的交锋也显得更为激烈。目前，三星电子、SK 海力士和美光科技占据全球 DRAM 市场超过九成的份额。其中，居于前两位的三星和 SK 海力士，都将在 DRAM 生产中导入极紫外光光刻设备 EUV 技术。最先跨入 EUV 时代的自然是三星。3 月 25 日，三星宣布成功出货 100 万个业界首款使用 EUV 的 10 纳米级 DDR4 DRAM 模组，且已经完成了全球客户评估。三星第四代 10 纳米（D1a）、更先进 10 纳米的 DRAM 会开始使用 EUV，预计 2021 年开始批量生产基于 D1a 的 DDR5 DRAM 和 LPDDR5 DRAM。 SK 海力士的相关内部人士透露，公司已开始研发第 4 代 10 纳米级制程(1a)的 DRAM，内部代号为“南极星”，预计将在制程中导入 EUV 技术。 2020 年的变数实在太多，业内人士观测，存储器厂商皆不轻易扩增产能，反而以优化制程技术的方式来增加其供应的能力。工艺提速的同时，预计基于 EUV 技术的存储器生产市场竞争将会更加激烈。 EUV 技术确有降本功效，门槛却极高，是否采用值得再三评估。美光企业副总裁、中国台湾美光董事长徐国晋表示，美光不打算跟进，目前并无采用 EUV 计划。 3.DDR5 稍慢，LPDDR5 引领新一轮产品竞争主流内存规格在今年有何进展？相比量产和应用步伐稍缓的 DDR5，主要运用智能手机等移动终端市场的低功耗 LPDDR 则进展神速，且已在终端产品领域掀起浪潮。今年 2 月，美光宣布交付全球首款 LPDDR5 芯片。此后，小米 10 全线采用 LPDDR5 内存芯片，供应商为美光和三星。小米搭载 LPDDR5 芯片消息一出，努比亚总裁倪飞紧随其后宣布红魔 5G 全系列标配 LPDDR5。两天后，Realme 副总裁徐起宣布 realme 真我 X50 Pro 全系标配 LPDDR5。从采用效果来看，根据美光提供的参数，LPDDR5 相较 LPDDR4 整机省电 5%～10%，续航延长 5%～10%。 SK 海力士计划今年量产 DDR5，三星计划 2021 年基于 D1a 工艺大规模量产 DDR5，美光 1Znm 制程的 DDR5 寄存型 DIMM(RDIMM)已开始出样。 TrendForce 集邦咨询表示，DDR5 应用场景以计算机、服务器产品为主，但需要配合主流 CPU 的规格，预计到 2021 年的下半年才能在市场上看到一定数量的产品。看趋势1. 国产替代提速，从 0 到 5%半导体国产替代口号响亮，自给率极低的存储器无疑有着最强音。根据中国海关数据，2019 年，我国进口了价值 3040 亿美元的集成电路，超三分之一为存储器。而在 2018 年，国产存储的量产量为零。 DRAM 和 NAND Flash 是最主流的存储器产品。在 DRAM 领域，三家国际厂商把控全球主要市场份额。受益于长鑫存储 DRAM 芯片推出，中国存储器开始实现中低端领域的部分替代。 NAND Flash 制造厂长江存储新工厂目前有一座 12 英寸晶圆厂，满产产能为 10 万片 / 月。长江存储计划到年底，其位于武汉的新工厂可以月产量提高 3 倍，达到 6 万片的规模。 2020 的上半年，见证了不少国产存储制造的突破进展。《日经亚洲评论》报道指出，中国存储器产量的全球占比将在今年提升到 5%。 2. 价格罕见拉升，但压力仍在现货渠道部分存储器颗粒现货价格上涨，引发市场高度关注是否会带动存储器产业反转向上。TrendForce 集邦咨询表示，DRAM 现货价格出现久违涨势，但下半年 DRAM 价格仍有压力。 TrendForce 集邦咨询还表示，观察目前 DRAM 市场，consumer DRAM 仅占整体 DRAM 市场消耗量约 8%，涨跌关键仍在于供需双方的库存水位，以及主流 server DRAM 的采购动能何时回温。在 data center 与 enterprise server 业者尚未重启新一轮补货前，DRAM 价格压力仍在，现货价格反弹可能仅是短暂效应。 3. 扩产还是缩减开支？积极预测与审慎现实2018 年 9 月，存储器景气度开始下行，在去年三季度触底并开始回暖。存储市场显现复苏态势后，拉高半导体产业整体预期。市场预测，自 2020 年，全球半导体企业将开始进行扩产，2021 年半导体产业新增产能可望创下历史新高。但热闹是结构性的，或者说，新冠疫情等黑天鹅来了后，难免遭遇现实考量。分析人士指出，COVID-19 影响显著，预计在可预见的未来将继续对存储器市场产生影响。考虑到市场的不确定性，为确保存储器行业的长期健康发展，存储器供应商必须谨慎地作出应对。结语不管是回顾还是展望，国产替代无疑是备受瞩目的线索。EUV 技术导入、DDR 世代更迭、龙头厂商激战升级之外，以长江存储、长鑫存储、兆易创新为代表的本土厂商在应对本土供应难题的同时，也开始因突破性进展放出更大声量。挥别国产存储极具里程碑意义的 2020 上半年，国内存储厂商也迎来发展良机。

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存储产业 NOR芯片 DRAM EUV技术 LPDDR5

发布时间：2020-10-13 00:00 阅读量：2051 继续阅读>>

传三星从比利时获得<span style='color:red'>EU</span>V光刻胶半导体制造加速摆脱日本

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传三星从比利时获得EUV光刻胶半导体制造加速摆脱日本

日本对韩国发起的贸易制裁已经过去一个月了，分别是7月4日、8月7日推出了两波禁令，严控重要材料对韩国出口，其中第一波制裁中的光刻胶、氟化聚酰亚胺和氟化氢最为关键，对半导体、面板生产极为重要。但是日本通过贸易限制想让韩国屈服的愿望很有可能落空，尽管日本公司在十几种半导体材料中占据50%以上的份额，但是日本的限制迫使韩国公司加速寻求新的来源，即便日本宣布允许对韩出口，韩国三星等公司也决议扩大新的来源，摆脱日本限制。据报道，三星近日从欧洲获得了一种重要的半导体制造材料——EUV光刻胶，据悉三星从比利时一家公司获得了稳定的光刻胶供应，可以使用6到10个月。尽管三星方面没有透露具体的公司名字，但出售EUV光刻机的应该是日本JSR公司与比利时微电子中心IMEC合作成立的公司，2016年成立，主要由JSR比利时比利时子公司持股。当然，韩国在这方面依然是利用了日本政策的漏洞——日本的政策限制只针对日本国土上的公司，海外公司对外出售产品是不受限制的。从另一个角度来说，日本制定这样的政策限制对本国企业并不是什么好事，不仅影响本土销售，还会迫使这些公司加速向海外转移以绕过政策限制，毕竟韩国公司一年进口的半导体材料价值50亿美元。除了三星之外，韩国的SK海力士、LGD等公司也在使用日本本土之外的半导体、面板材料供应，在日本政府公开限制对韩国出口之后，韩国公司一方面加速寻求日本之外的第三方供应商，另一方面也会加强自主研发，韩国就投资了7.8万亿韩元，约合449亿人民币在未来5年研发100多种关键材料、装备。

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日本韩国半导体

发布时间：2019-08-12 00:00 阅读量：1436 继续阅读>>

麒麟985将采用7nm+<span style='color:red'>EU</span>V工艺制造？相比麒麟980性能提升了哪些？

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麒麟985将采用7nm+EUV工艺制造？相比麒麟980性能提升了哪些？

　　据外媒报道，华为即将推出的麒麟985旗舰级芯片组可能成为首款采用极紫外光刻工艺(EUV)制造的智能手机芯片，仍为7nm工艺。　　此前也有相关媒体报道称，华为下半年将大幅追加台积电7nm芯片的投产量，有望超过苹果成为台积电最大的7nm客户。　　按照惯例，麒麟985应该就是麒麟980的升级改良版，预计会提升CPU/GPU主频，进一步提升性能。同时，麒麟985的首发机型会是华为Mate 30系列，预计今年下半年推出。麒麟985的一大亮点就是标配5G基带，这也意味着华为Mate 30系列会支持5G网络。　　外媒报道称，EUV（极紫外光刻工艺）是采用光来蚀刻硅晶片上的晶体管，该技术可以让晶体管的位置更精确，同时芯片上的晶体管密度可以增加20%，使得单位面积的芯片性能更强大，能耗更低。　　值得一提的是，EUV将在后续的芯片中(5nm或更新的工艺)中展现真正价值，在7nm上其实还没有显示真正的潜力。虽然摩尔定律说每隔18个月-24个月晶体管数量翻一番，但很可能很快就会达到物理极限，EUV则有助于改善这一局面，并为下一代5nm芯片组的诞生奠定基础。　　此外，极紫外光刻技术(EUV)预计将在2020年成为大规模生产的可行解决方案。台积电并不是唯一一家致力于完善该技术的供应商，英特尔也在此领域进行了投资，但之前的报告显示英特尔推迟发布其首批基于EUV的芯片组直到2021年，这使得台积电成为领先的竞争对手。

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麒麟

发布时间：2019-03-25 00:00 阅读量：1717 继续阅读>>

台积电,三星与英特尔<span style='color:red'>EU</span>V光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

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台积电,三星与英特尔EUV光罩盒采购需求爆发,厂商接单供应告急

全球三大晶圆代工厂台积电、英特尔、三星，最快将在2019年导入极紫外光微影技术（EUV），值得注意的是，全球可提供EUV光罩盒的业者只有两家，家登是其中之一，且家登已经通过艾司摩尔（ASML）认证，此举无疑宣告，家登今年EUV光罩盒将大出货，公司更透露，接单强劲，目前已有供给告急压力。首先就台积电的部分，今年会进入采用EUV设备之7+制程的量产，而三星的7纳米制程也会采用EUV设备，并在今年进入量产阶段，至于英特尔方面，其7纳米发展进度佳，也确定会导入新一代EUV微影技术，但量产时间可能会落在2020年。而台积电和三星采用EUV设备的7纳米，预计在2019年导入量产，并在2020年大量，但其相关的光罩盒等设备大量采购时间会集中在2019年开始，至于英特尔，虽采用EUV的7纳米会在2020年量产，但其光罩盒采购时间，可望落在2019年下半。换言之，为了先进的EUV设备的7纳米制程，台积电、三星与英特尔将自2019年开始大举向家登采购相关的光罩盒，而家登新一代EUV光罩传送盒G/GP Type也在2018年底获得ASML认证通过，这意味着，家登光罩传送盒今年可望明显放量出货，营收与获利成长可期。

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三星,台积电,EUV

发布时间：2019-01-03 00:00 阅读量：1627 继续阅读>>

型号	品牌	询价
RB751G-40T2R	ROHM Semiconductor
BD71847AMWV-E2	ROHM Semiconductor
TL431ACLPR	Texas Instruments
CDZVT2R20B	ROHM Semiconductor
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BP3621	ROHM Semiconductor
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